RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Vergleichen Sie
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Gesamtnote
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
37
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
5.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
8.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
5.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2278
1967
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB RAM-Vergleiche
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link