RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Vergleichen Sie
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Gesamtnote
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
72
Rund um 61% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
72
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
8.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2278
1593
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link