RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Gesamtnote
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
35
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
10.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.4
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3151
2124
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link