RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Gesamtnote
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
31
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR5
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3576
3318
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB RAM-Vergleiche
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link