RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Gesamtnote
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
41
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.4
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
21.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
16.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2385
3809
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link