RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Gesamtnote
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
41
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.4
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
21.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
16.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2385
3809
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-2000 CL9 4GB 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link