RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Gesamtnote
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
41
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
10.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2385
3039
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link