RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Gesamtnote
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
41
Rund um -37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
12.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2385
3164
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link