RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Gesamtnote
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
41
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
9.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2385
2419
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link