RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Gesamtnote
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
39
Rund um -26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
9.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2355
2554
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link