RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Gesamtnote
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
39
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.6
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.7
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
16.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2355
4084
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link