RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Gesamtnote
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
39
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
15.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2355
3673
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link