RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Gesamtnote
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Gesamtnote
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
5.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
39
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
11.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
5.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2355
1884
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link