RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Gesamtnote
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Gesamtnote
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
39
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
9.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
7.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2355
2291
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link