RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Gesamtnote
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Gesamtnote
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
52
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.5
14.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
10.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2228
2472
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link