RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Nanya Technology HYS72T512420EFD-3s 4GB
Vergleichen Sie
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs Nanya Technology HYS72T512420EFD-3s 4GB
Gesamtnote
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology HYS72T512420EFD-3s 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
111
Rund um 66% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
2,064.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
10600
5300
Rund um 2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology HYS72T512420EFD-3s 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.1
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Nanya Technology HYS72T512420EFD-3s 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
38
111
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
2,597.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
2,064.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
5300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 6
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2228
706
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Nanya Technology HYS72T512420EFD-3s 4GB RAM-Vergleiche
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Nanya Technology HYS72T512420EFD-3s 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link