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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Gesamtnote
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
35
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
13.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
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CAS Latency (CL) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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