RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Gesamtnote
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gesamtnote
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
38
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
13.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2099
3337
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link