RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Gesamtnote
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
38
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
11.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2099
2725
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link