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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Gesamtnote
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gesamtnote
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
14
25
Rund um -79% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
26.4
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.8
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
14
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
26.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
19.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2307
4362
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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