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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Vergleichen Sie
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Gesamtnote
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gesamtnote
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
97
Rund um 74% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
97
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
6.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2307
1479
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
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