RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Vergleichen Sie
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Gesamtnote
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
40
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
13.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.0
13.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2021
2808
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB RAM-Vergleiche
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Jinyu 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link