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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Gesamtnote
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
43
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
11.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.0
11.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2021
2615
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
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