RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Gesamtnote
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
23
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
17
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
20
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.0
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
13.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3077
3004
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB RAM-Vergleiche
Kingston KHX2800C12D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link