RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Gesamtnote
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
27
Rund um 37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
18.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
17
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
14.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3391
3008
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link