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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Gesamtnote
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
32
Rund um 47% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
17
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
12.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3391
3137
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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