RAM-Vergleich Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Gesamtnote

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

17 29

Rund um 41% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

16.9 15.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 10600

Rund um 2.01 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

3391 3792

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns