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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Gesamtnote
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
29
Rund um 41% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.9
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
17
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
22.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
16.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3391
3792
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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