RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Gesamtnote
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gesamtnote
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
31
Rund um 45% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
17
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
13.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3391
3091
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
INTENSO 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link