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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Vergleichen Sie
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Gesamtnote
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
71
Rund um 76% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
17
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
7.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3391
1799
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
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