RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Vergleichen Sie
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Gesamtnote
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
72
Rund um 76% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
17
72
Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
8.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3391
1728
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link