RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Gesamtnote
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
22
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.4
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
17
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
22.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
16.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3391
3704
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link