RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
24
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
17
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
10.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3391
2731
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link