RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Vergleichen Sie
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Gesamtnote
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
34
Rund um 50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
17
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
12.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3391
2665
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link