RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Gesamtnote
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
38
Rund um 55% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
17.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
17
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
10.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3391
3030
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link