RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Gesamtnote
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Gesamtnote
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
68
Rund um 41% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
68
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
8.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2509
2007
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston 99U5471-050.A00LF 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link