RAM-Vergleich Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Gesamtnote

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

32 37

Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

17.4 11.4

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.5 7.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 10600

Rund um 2.01 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1683 3137

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns