RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Gesamtnote
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
37
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
8.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1683
2533
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link