RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Gesamtnote
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
37
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
10.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1683
2742
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link