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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Gesamtnote
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
37
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
12.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
10.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1683
2759
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
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