RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Gesamtnote
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
38
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.3
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
19.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
13.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1683
3246
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link