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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Gesamtnote
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
37
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
12.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1683
2781
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
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