RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
29
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.2
20
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.2
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.0
21.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.9
17.2
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3713
3714
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link