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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Gesamtnote
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
35
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
10.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2636
2434
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM-Vergleiche
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
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