RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
44
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
44
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
8.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
5.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2636
1660
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link