RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
60
Rund um 43% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
12.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2636
2511
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link