RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
34
Rund um -89% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.2
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
20.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
16.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2636
3536
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link