RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
13.0
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2601
3384
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link