RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
33
Rund um 12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
16.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.7
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2601
2930
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link