RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
29
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.1
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
17.1
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2601
4022
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link