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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
16
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
29
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
12.5
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2601
2925
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