RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
14
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
29
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
25600
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2601
2663
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link